硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器構(gòu)造與原理

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【文章摘要】河南鄭州展瑞科技全新開(kāi)發(fā)的硅壓阻式壓力傳感器,精度可過(guò)0.25~0.5%FS;壓力傳感器采用絕對(duì)壓力封裝,其硅膜片與真空接觸一面形成電橋電路原理,使得電橋輸出與壓力成正比的電壓信號(hào);展瑞科技?jí)毫ψ兯推?壓力傳感器產(chǎn)品服務(wù)熱線:0371-56708681,技術(shù)支持:13525518669!

硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器是采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的，具有較高的測(cè)量精度、較低的功耗和極低的成本?；菟诡D電橋的壓阻式傳感器，如無(wú)壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電。

ZR800系列硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器采用周邊固定的圓形應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁，采用展瑞科技自主研發(fā)技術(shù)直接將四個(gè)高精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力最大處，組成惠斯頓測(cè)量電橋，作為力電變換測(cè)量電路，將壓力這個(gè)物理量直接變換成電量，其測(cè)量精度能達(dá)0.25-0.5%FS。硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成一應(yīng)力杯，其應(yīng)力硅薄膜上部有一真空腔，使之成為一個(gè)典型的絕壓擴(kuò)散硅壓力傳感器。應(yīng)力硅薄膜與真空腔接觸這一面經(jīng)光刻生成電阻應(yīng)變片電橋電路。當(dāng)外面的壓力經(jīng)引壓腔進(jìn)入傳感器應(yīng)力杯中，應(yīng)力硅薄膜會(huì)因受外力作用而微微向上鼓起，發(fā)生彈性變形，四個(gè)電阻應(yīng)變片因此而發(fā)生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號(hào)。

擴(kuò)散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測(cè)這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。

 河南鄭州展瑞科技專業(yè)生產(chǎn)壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器，壓力變送器，產(chǎn)品服務(wù)熱線：0371-56708681，技術(shù)支持：13525518669！

編輯｜zhanruitech    來(lái)源｜展瑞科技    時(shí)間｜2015-7-28